ZXMC4A16DN8TA

ZXMC4A16DN8TA是Diodes Incorporated推出的一款集成N沟道与P沟道MOSFET的互补型功率开关阵列，采用紧凑的8引脚SOIC封装。该器件将两个性能匹配的增强型MOSFET集成于单一芯片之上，为设计工程师提供了一个节省空间、简化布局的解决方案。其核心架构基于先进的平面MOSFET工艺，确保了在逻辑电平驱动下具备高效、快速的开关性能，特别适用于由微控制器或数字逻辑电路直接驱动的场合。

该芯片的一个显著特点是其逻辑电平门控设计，栅极阈值电压(Vgs(th))典型值低至1V，这意味着它能够被标准的3.3V或5V逻辑信号轻松且可靠地驱动，无需额外的电平转换或栅极驱动电路，从而简化了系统设计并降低了整体BOM成本。在电气性能方面，其N沟道和P沟道MOSFET均具备40V的漏源击穿电压(Vdss)，提供可靠的电压裕量。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)分别可达5.2A和4.7A，而导通电阻(Rds(on))在10V Vgs条件下分别低至50毫欧和60毫欧，这有效降低了导通损耗，提升了能效。

在动态特性上，栅极总电荷(Qg)最大值仅为17nC，结合770pF至1000pF的输入电容(Ciss)，共同决定了其极低的开关损耗和优秀的开关速度，这对于高频PWM应用至关重要。器件采用表面贴装形式，工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为2.1W，展现了良好的环境适应性与鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取该产品的技术支持和供货信息。

凭借其互补输出、高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，ZXMC4A16DN8TA非常适合用于需要推挽或半桥拓扑的电机驱动、继电器替代、电源管理中的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流，以及各类需要高效功率切换的便携式设备、消费电子和工业控制模块中。其集成化设计尤其有助于缩小PCB面积，提升系统集成度与可靠性。

• 型号:ZXMC4A16DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 40V 5.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Ta），4.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V，60 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250mA（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770pF @ 40V，1000pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• 现在可以订购ZXMC4A16DN8TA，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。