ZXMN10A07FTC

Diodes Incorporated推出的ZXMN10A07FTC是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率开关器件。其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺，在紧凑的SOT-23-3封装内实现了对沟道和寄生参数的优化设计，确保了在高压开关应用中的稳定性和可靠性。该器件通过精心的半导体布局，有效控制了栅极电荷和结电容，从而提升了开关速度并降低了动态损耗。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压(Vdss)和700mA的连续漏极电流(Id)能力，为中小功率应用提供了充足的电压和电流裕量。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压(Vgs)和1.5A电流条件下典型值仅为700毫欧，这一低导通阻抗特性有助于显著降低器件在导通状态下的功率损耗，提升整体系统效率。栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为4V，与标准的逻辑电平驱动兼容性良好，而±20V的最大栅源电压则提供了较强的栅极抗过冲能力。此外，其极低的栅极电荷(Qg，最大值2.9nC @ 10V)和输入电容(Ciss，最大值138pF @ 50V)使得驱动电路的设计更为简便，能够实现快速开关并减少驱动级的功率需求。

在接口与参数方面，ZXMN10A07FTC采用标准的三引脚SOT-23表面贴装封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的环境温度条件。器件的最大功耗为625mW（环境温度Ta下），设计时需结合散热条件进行考量。尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术规格在特定领域仍有参考和替代价值，工程师可通过DIODES授权代理咨询库存或功能相近的替代型号信息。

凭借其高压、低导通电阻和快速开关的特性，该器件非常适合用于需要高效功率切换的场合。典型的应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、低压电机驱动控制、电池供电设备的电源管理模块，以及LED驱动电路中的功率开关。其在通信设备、消费电子和工业控制系统的辅助电源电路中，能有效完成信号隔离、负载切换和功率调节等功能。

• 型号:ZXMN10A07FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):700mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:138 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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