ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现高电压下的高效开关与低损耗。其结构优化了沟道电阻与栅极电容的平衡，为在紧凑封装内实现优异的电气性能奠定了基础。

该器件的一个显著特性是其100V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够稳定工作在多种中压应用环境中。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动下典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）值经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，这对于高频开关应用至关重要。

在电气接口与参数方面，ZXMN10A08E6TA在25°C环境温度下可支持连续漏极电流（Id）高达1.5A，并采用标准的逻辑电平驱动，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，便于与微控制器或低压逻辑电路直接接口。器件采用SOT-26表面贴装封装，占板面积小，符合现代电子设备高密度集成的需求。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关能力，ZXMN10A08E6TA非常适合应用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路、LED照明驱动以及各类电源管理模块。其紧凑的封装和稳健的性能使其成为空间受限且对效率和可靠性有较高要求的消费电子、工业控制和汽车辅助系统中的理想选择。

• 型号:ZXMN10A08E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
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