ZXMN10A11KTC

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的N沟道功率MOSFET，ZXMN10A11KTC采用了成熟的平面MOSFET技术，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件采用TO-252-2（DPAK）表面贴装封装，在紧凑的占板面积内提供了良好的散热能力，其结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠工作。

该MOSFET的突出特性在于其优异的电气性能组合。100V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对常见的48V或更高电压的工业总线环境，而2.4A的连续漏极电流（Id）能力则能满足中小功率负载的驱动需求。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压（Vgs）和2.6A电流条件下最大仅为350毫欧，这一低导通损耗特性对于提升系统效率、减少发热至关重要。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为5.4nC，结合274pF的输入电容（Ciss），意味着它所需的驱动能量极低，能够实现快速的开启与关断，有效降低开关损耗，并简化驱动电路的设计。

在接口与控制参数方面，ZXMN10A11KTC的标准驱动电压范围为10V，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力和明确的导通状态。栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，为驱动电路的设计提供了充足的裕量。其最大功耗为2.11W，结合DPAK封装的热性能，使得器件在持续工作时能有效管理温升。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取该产品的详细资料、样品及批量供应服务。

凭借其电压、电流能力与开关特性的综合优势，这款MOSFET非常适合应用于多种直流-直流（DC-DC）转换器的同步整流或负载开关环节、低压电机驱动控制、电池保护电路以及LED照明驱动等场景。其表面贴装形式也使其能高效集成于空间受限的现代电子设备中，成为工程师在构建高效、紧凑型电源管理解决方案时的可靠选择。

• 型号:ZXMN10A11KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:274 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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