ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，并封装于紧凑的SOT-26表面贴装器件内。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管原理，通过优化的单元设计和制造工艺，在微小的封装内实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。该器件旨在为空间受限的现代电子设备提供高效、可靠的功率开关解决方案。

在电气特性方面，该器件具备100V的漏源击穿电压(Vdss)，使其能够稳定工作在较高的电压平台。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压、1.6A漏极电流条件下典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)值均经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关速度，从而适用于中频开关应用。其栅源电压(Vgs)最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。

该MOSFET的接口设计遵循标准的三引脚SOT-26封装规范，便于PCB布局和自动化贴装。其关键参数包括在25°C环境温度下连续漏极电流(Id)可达1.6A，最大功耗为1.1W。其阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，确保了与常见逻辑电平或微控制器GPIO口的良好兼容性。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取相关技术支持和供货信息。

凭借其高耐压、中等电流能力和紧凑的封装，ZXMN10B08E6TC非常适合应用于对空间和效率有双重要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、低压电机驱动控制、电池管理系统的负载开关，以及LED照明驱动等。其稳健的性能使其成为消费电子、工业控制和汽车辅助系统中功率管理部分的理想选择之一。

• 型号:ZXMN10B08E6TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:497 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
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