ZXMN2A02N8TA

ZXMN2A02N8TA是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺制造，并封装于紧凑的8引脚SO封装内。其核心架构旨在实现高效率的功率开关与控制，通过优化的单元设计和沟道布局，在有限的芯片面积内实现了优异的导通电阻与栅极电荷性能平衡，这对于提升开关电源和电机驱动的整体效率至关重要。

该器件具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压(Vdss)为20V，适用于常见的12V及以下低压系统。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值高达8.3A，展现出强大的电流处理能力。其导通性能尤为出色，在Vgs为4.5V、Id为11A的条件下，导通电阻(Rds(on))典型值低至20毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗和温升。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为700mV，且驱动电压范围宽（最大RdsOn对应2.5V，最小RdsOn对应4.5V），使其能够与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动IC轻松兼容，简化了驱动电路设计。

在动态开关特性方面，在Vgs为4.5V时，栅极总电荷(Qg)最大值仅为18.9nC，结合在Vds为10V时输入电容(Ciss)最大值为1900pF的参数，共同决定了其具有快速的开关速度和较低的开关损耗，有利于在高频开关应用中提升效率。器件的栅源电压可承受±12V的最大值，提供了可靠的驱动保护裕量。其最大功耗为1.56W（Ta），采用表面贴装（SMT）的8-SO封装，便于自动化生产并节省PCB空间。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取此型号产品。

基于其优异的电气参数和封装形式，ZXMN2A02N8TA非常适合应用于对效率和空间有较高要求的领域。其主要应用场景包括但不限于：DC-DC同步整流和降压/升压转换器中的主开关或同步整流管、低压电机驱动和调速电路（如风扇、小型泵）、负载开关、电池保护电路以及便携式设备中的电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力使其成为需要高效功率路径管理的理想选择。

• 型号:ZXMN2A02N8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 11A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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