ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC 是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的硅基工艺，通过优化的单元设计和制造流程，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能平衡。该器件采用表面贴装型8-MSOP封装，专为高密度PCB布局而设计，同时确保了良好的热性能与机械可靠性。

该MOSFET在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够提供高达5.3A的连续漏极电流。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和12A电流条件下，Rds(On)最大值仅为25毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。低栅极阈值电压（Vgs(th)最大1V）与优化的栅极电荷（Qg最大26.8nC @ 10V）相结合，使其能够被微控制器或逻辑电平信号轻松、快速地驱动，从而简化了驱动电路设计并降低了开关损耗。其输入电容（Ciss）在25V下最大为1400pF，有助于实现快速的开关瞬态响应。

在接口与参数方面，该器件支持高达±20V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕量。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。尽管其标称功率耗散为1.1W，但实际应用中通过合理的PCB散热设计可以进一步提升其电流处理能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理获取该产品的技术支持和供货服务。

凭借其综合性能，ZXMN3A02X8TC非常适用于空间受限且对效率有要求的DC-DC转换器、电机驱动控制、负载开关以及电池管理电路等应用场景。例如，在同步整流拓扑中，其低Rds(On)特性可有效减少功率损耗；在便携式设备的电源路径管理中，其小尺寸和良好的开关特性有助于延长电池续航。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为同类替代产品的选型提供了有价值的参考基准。

• 型号:ZXMN3A02X8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-MSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118\\
• 现在可以订购ZXMN3A02X8TC，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。