ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA是Diodes Incorporated推出的一款采用SOIC-8封装的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的增强型MOSFET，其核心架构基于先进的沟槽工艺技术，旨在实现优异的导通电阻与开关性能平衡。每个MOSFET单元均具备独立的源极和漏极引脚，而栅极则根据具体型号配置，为设计紧凑型、高密度功率管理电路提供了高度集成的解决方案。

该器件的一个显著特点是其逻辑电平门驱动能力，其栅极阈值电压(Vgs(th))典型值较低，在250A漏极电流下最大仅为1V。这一特性使其能够与3.3V或5V的微控制器及数字逻辑电路直接兼容，无需额外的电平转换或驱动电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。同时，在10V Vgs条件下，其导通电阻(Rds(on))典型值低至35毫欧（在9A电流下测量），这有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率。

在动态开关特性方面，ZXMN3A06DN8TA表现出色。其栅极总电荷(Qg)在10V Vgs下最大值为17.5nC，输入电容(Ciss)在25V Vds下最大值为796pF。这些较低的电荷与电容参数共同确保了快速的开关速度，减少了开关过渡时间，从而有助于降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。每个MOSFET的连续漏极电流(Id)在25°C下额定为4.9A，漏源击穿电压(Vdss)为30V，最大功耗为1.8W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，提供了可靠的功率处理能力和宽泛的环境适应性。

凭借其表面贴装的8-SOIC封装、双通道集成设计以及优异的电气性能，ZXMN3A06DN8TA非常适合应用于空间受限且要求高效率的场合。其主要应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑、电池管理系统的负载保护与切换，以及各类便携式设备、消费电子和工业控制模块中的功率分配与开关控制。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品及相关技术支持。

• 型号:ZXMN3A06DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:796pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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