ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的硅基技术，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。内部采用优化的单元设计，有效降低了栅极电荷和寄生电容，为高效率的功率控制奠定了物理基础。其紧凑的8引脚SO封装集成了必要的散热路径，确保了在连续工作条件下的热可靠性。

这款MOSFET的功能特性围绕其卓越的电气性能展开。其最大漏源电压(Vdss)为30V，适用于常见的12V或24V低压系统。在25°C环境温度下，器件能够持续通过高达7.2A的漏极电流(Id)，展现出强大的电流处理能力。一个关键优势在于其极低的导通电阻，在4.5V栅源电压(Vgs)和7.2A电流条件下，Rds(on)最大值仅为25毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为700mV，且驱动电压范围宽（2.5V至4.5V即可实现良好导通），使其能够与3.3V或5V逻辑电平的微控制器直接兼容，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，ZXMN3B04N8TA同样表现出色。在4.5V Vgs下，总栅极电荷(Qg)最大值仅为23.1nC，结合2480pF的输入电容，意味着开关过程中所需的驱动能量很小，有利于实现高频开关并降低驱动芯片的负担。其栅源电压可承受±12V的最大值，提供了良好的抗干扰能力。器件的接口形式为表面贴装的8-SO封装，便于自动化生产。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为2W，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理获取原装正品和技术支持。

凭借上述综合特性，ZXMN3B04N8TA非常适合多种低压、大电流的开关应用场景。它是DC-DC同步整流转换器中理想的下桥或上桥开关，能有效提升电源模块的转换效率。在电机驱动领域，如无人机电调、小型机器人或风扇控制中，该器件可作为H桥的功率开关元件，提供平稳的驱动能力。此外，在负载开关、电池保护电路以及LED照明驱动等需要高效功率管理的场合，其低导通电阻和良好的开关性能也能显著优化系统整体能效和可靠性。

• 型号:ZXMN3B04N8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 7.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2480 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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