ZXMN3G32DN8TA

Diodes Incorporated推出的ZXMN3G32DN8TA是一款采用紧凑型8-SOIC封装的双N沟道增强型MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的逻辑电平门MOSFET，其核心架构基于先进的沟槽工艺技术，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关性能。这种双通道集成设计不仅节省了宝贵的PCB空间，还简化了电路布局，特别适用于需要多路开关或同步控制的紧凑型应用。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和5.5A的连续漏极电流(Id)能力，为低压电源和负载切换提供了充足的裕量。其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅源电压(Vgs)和6A漏极电流条件下，导通电阻(Rds(on))典型值低至28毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。作为逻辑电平器件，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，确保其能被3.3V或5V的微控制器GPIO端口直接、可靠地驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。

在动态性能方面，ZXMN3G32DN8TA表现出色。在10V Vgs条件下，栅极总电荷(Qg)最大值仅为10.5nC，输入电容(Ciss)在15V Vds下最大值为472pF。这些低电荷和电容参数共同决定了其快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗，并减少在高频PWM应用中的死区时间。器件采用表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为1.8W，具备良好的热性能和环境适应性。对于需要可靠供应链支持的开发者，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取正品器件和技术支持。

凭借其集成化、高效率和高可靠性的特点，ZXMN3G32DN8TA非常适合应用于对空间和能效有严格要求的领域。其主要应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的H桥或半桥配置、电池管理系统(BMS)中的充放电控制与保护电路，以及各类便携式设备、物联网模块和消费电子产品中的电源分配与负载管理单元。

• 型号:ZXMN3G32DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:472pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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