ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，其核心架构旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其60V的漏源击穿电压（Vdss）为设计提供了充足的电压裕量，确保在多种电源拓扑中的可靠运行。该MOSFET的栅极设计优化了电荷特性，有助于降低开关损耗，提升整体能效。

在电气特性方面，该器件在10V栅源驱动电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至80毫欧（在4.8A条件下测量），这一特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，并与4.5V的最小驱动电压相结合，使其能够与标准逻辑电平或微控制器GPIO端口良好兼容，简化了驱动电路设计。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为5.8nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动功率需求，特别适合高频开关应用。

该MOSFET的连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下额定为5.36A，结合2.12W（Ta）的最大功耗能力，使其能够处理可观的功率水平。其输入电容（Ciss）在40V Vds下最大值为459pF，这一参数与低Qg共同决定了其动态性能。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和鲁棒性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取相关技术支持和正品货源保障。

凭借其性能参数组合，ZXMN6A08KTC非常适合应用于需要高效功率切换和控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路（如小型有刷直流电机）、负载开关以及电池管理系统的保护电路。其表面贴装形式和稳健的电气规格，使其成为空间受限且对效率和可靠性有要求的消费电子、工业控制及汽车辅助系统等领域的理想选择。

• 型号:ZXMN6A08KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.36A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 4.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:459 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.12W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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