ZXMP10A16KTC

ZXMP10A16KTC是一款由Diodes Incorporated设计生产的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，专为在紧凑空间内实现高效功率切换与控制而优化。其核心架构基于稳健的单元设计，确保了在宽温度范围（-55°C至150°C结温）内电气参数的高度一致性，为系统设计提供了可靠的性能基础。

该器件具备100V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了良好的电压裕量，适用于离线式电源适配器、电机驱动等存在电压尖峰的应用环境。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为3A，能够处理中等功率级别的负载。其关键优势在于优异的导通特性：在10V驱动电压(Vgs)和2.1A漏极电流条件下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为235毫欧。较低的Rds(on)直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，有助于提升系统整体效率并简化散热设计。

在开关性能方面，DIODES代理商提供的技术资料显示，ZXMP10A16KTC在10V Vgs下的栅极总电荷(Qg)最大值为16.5nC，结合717pF（在50V Vds下）的输入电容(Ciss)，表明其具有较快的开关速度，能够有效降低开关过程中的动态损耗。其栅极驱动电压范围较宽，标准驱动电压为10V，同时栅源电压(Vgs)可承受±20V的最大值，这增强了其抗栅极噪声干扰的能力，提高了在复杂电磁环境中的鲁棒性。器件的功率耗散能力为2.15W（Ta），需要根据实际应用条件进行适当的散热管理。

综合其电气参数与封装特性，ZXMP10A16KTC非常适合用于需要高效率、高可靠性的中压功率管理场景。典型应用包括DC-DC转换器中的负载开关、电源反接保护电路、低压同步整流（作为上管使用）、电池供电设备的功率路径管理，以及小型电机、螺线管的驱动控制。其TO-252封装提供了良好的功率处理能力与PCB占板面积的平衡，是空间受限的现代电子设备中功率半导体元件的理想选择之一。

• 型号:ZXMP10A16KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:235 毫欧 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:717 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.15W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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