ZXMP3A17E6TA

作为一款由Diodes Incorporated设计制造的P沟道增强型功率MOSFET，ZXMP3A17E6TA采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术。该器件基于优化的单元结构设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，其核心在于通过精密的沟道与终端结构控制，在紧凑的封装内实现高效的电流处理能力与优异的热性能。

该器件在电气性能上表现突出，其最大漏源电压(Vdss)为30V，能够满足多种中低压应用场景的耐压需求。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值可达3.2A，具备良好的电流承载能力。其导通特性尤为关键，在驱动电压(Vgs)为10V、漏极电流为3.2A的条件下，导通电阻(Rds(on))典型值低至70毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为1V（测试条件为Id=250A），表明该器件易于被驱动电路开启，兼容低电压逻辑电平。

在动态特性方面，ZXMP3A17E6TA的栅极总电荷(Qg)在Vgs=10V时最大值为15.8nC，结合其Vgs最大耐受电压为±20V，这为设计高效率的开关电源和电机驱动电路提供了便利，有助于减少开关损耗并简化栅极驱动设计。其输入电容(Ciss)在Vds=15V时最大值为630pF，较低的电容值有利于实现更高的开关频率。器件采用标准的SOT-23-6表面贴装封装，占板面积小，适合高密度PCB布局，其最大功耗为1.1W（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

凭借其综合性能，该MOSFET非常适合应用于需要高效功率切换与空间受限的场合。典型应用包括负载开关、电源管理模块、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及便携式设备、电池供电系统中的功率路径管理。对于需要可靠元器件供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理获取完整的技术支持与供货保障。

• 型号:ZXMP3A17E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
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