ZXMP3F35N8TA

ZXMP3F35N8TA是一款由Diodes Incorporated设计生产的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8引脚SO封装内。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心在于通过优化沟道设计和栅极氧化层工艺，实现了在较低的栅极驱动电压下获得优异的导通电阻特性。其栅极阈值电压设计使得该器件能够与常见的3.3V或5V逻辑电平直接兼容，简化了驱动电路的设计，同时其稳健的栅极结构能够承受高达±20V的电压，提供了良好的抗干扰能力。

在电气性能方面，该器件展现出显著的优势。其最大漏源电压额定值为30V，适用于常见的低压电源总线。在25°C环境温度下，其连续漏极电流额定值高达9.3A，表明其具备出色的电流承载能力。尤为关键的是，在10V栅源电压驱动下，其导通电阻典型值极低，在12A电流条件下最大值仅为12毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。较低的栅极电荷（典型值77.1nC @ 10V）有助于减少开关过程中的损耗，提升高频开关性能，尽管其输入电容相对较大，在15V漏源电压下最大值为4600pF，这需要在驱动电路设计中予以考虑以确保快速的开关速度。

该MOSFET采用表面贴装型8-SO封装，便于自动化生产并节省电路板空间。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。最大功耗在环境温度下为1.56W，实际应用中需结合散热条件进行热设计。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过授权的DIODES代理获取详细的技术支持和供货信息。需要注意的是，此产品系列目前状态为停产，在新设计选型时应优先考虑其替代型号或联系制造商获取最新产品信息。

凭借其低导通电阻、高电流能力和逻辑电平兼容的驱动特性，ZXMP3F35N8TA非常适合于需要高效功率切换或路径管理的应用场景。典型应用包括低压DC-DC转换器中的同步整流或高端负载开关、电池供电设备的电源管理模块（如负载开关、电池反接保护）、电机驱动电路中的预驱动级，以及各类消费电子和工业控制设备中的功率分配单元。其设计旨在为工程师提供一个在性能、尺寸和成本之间取得平衡的可靠解决方案。

• 型号:ZXMP3F35N8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:77.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4600 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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