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Diodes
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产品参考图片
ZXTN2010GTA 图片
ZXTN2010GTA
  • 制造厂商:Diodes(美台半导体)
  • 类别封装:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个,封装:TO-261-4,TO-261AA
  • 技术参数:TRANS NPN 60V 6A SOT223
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    专营Diodes芯片半导体
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:ZXTN2010GTA
  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 描述:TRANS NPN 60V 6A SOT223
  • 系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):6A
  • 电压-集射极击穿(最大值):60V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):260mV @ 300mA,6A
  • 电流-集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):100 @ 2A,1V
  • 功率-最大值:3W
  • 频率-跃迁:130MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-261-4,TO-261AA
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