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Diodes 100V MOSFET H桥采用5mm x 4.5mm封装有效节省占地面积

Diodes公司(DiodesIncorporated)新推出的100V全H桥DMHC10H170SFJ,双N通道和P通道MOSFET集成到微型DFN5045封装(5mmx4.5mm)。该配置可以减少元件的数量,节省电路板空间。此外,它对于各种设备的应用尤为重要,包括一系列工业检测系统或海事声纳设备中的超声波传感器。其他常见应用包括48V电信设备散热风扇的直流驱动电机,以及无线充电板线圈等电感负载。

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DMHC10H170SFJ具有100V泄漏极击穿电压(BVDSS),支持48V电信轨道及工业应用。它还配备了5V网极电压设计简化了微控制器的直接逻辑电平接口。该装置的峰值脉冲电流额定值为11A,冲击电流通常是直流电机典型工作电流的五倍。

新产品可替代四个SOT23或两个SO-8包装设备使多个超声波传感器能够紧凑地展示和部署。以1024个传感器组为例,每个传感器必须由H桥单独驱动Diodes中国代理商并为相控阵系统提供可控的聚焦光束。该系统用于检测材料生产过程,并适用于海事回声定位系统。

DMHC10H170SFJ采用了V-DFN5045-12包装在市场上提供了独特的超小尺寸解决方案。新产品以3000个单元为批量出货。如果您想了解更多的产品信息,请访问www.diodes.com。

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BAV70W-7
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KN3270027
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磁性传感器 - 开关(固态)
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