BZT52C43-7

BZT52C43-7是一款由Diodes Incorporated设计生产的表面贴装齐纳二极管。该器件采用紧凑的SOD-123封装，其核心架构基于成熟的平面硅工艺，通过在PN结上施加反向偏压并精确控制掺杂浓度，以实现稳定的雪崩击穿特性，从而在特定电压点提供精准的电压钳位功能。

该器件标称齐纳电压为43V，容差为±7%，确保了在批量应用中电压基准的一致性。其最大功耗为410mW，在典型工作条件下能够提供足够的功率处理能力。动态阻抗是衡量齐纳二极管稳压性能的关键指标，BZT52C43-7在测试电流下的最大阻抗为100 Ohms，这有助于在负载变化时维持相对稳定的输出电压。此外，其在32V反向电压下的典型反向泄漏电流仅为100nA，表现出优异的截止特性，有助于降低待机功耗。宽泛的工作温度范围覆盖-65°C至150°C，使其能够适应苛刻的工业与汽车电子环境。

在电路设计中，BZT52C43-7主要作为电压基准源、过压保护元件或信号电平钳位器使用。其表面贴装形式便于自动化生产，能有效节省PCB空间。对于需要获取此型号样品或技术支持的工程师，可以通过官方授权的DIODES中国代理进行咨询。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择替代型号时，需综合考虑电压容差、功耗、封装兼容性及温度特性等关键参数。

• 型号:BZT52C43-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOD-123
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 43V 410MW SOD123
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):43 V
• 容差:±7%
• 功率 - 最大值:410 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):100 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 32 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOD-123
• 供应商器件封装:SOD-123
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