DMC3730UVT-13

DMC3730UVT-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级互补型MOSFET阵列，采用先进的TSOT-26封装，集成了一个N沟道和一个P沟道MOSFET于单一紧凑芯片内。其设计核心在于优化了功率密度与开关性能的平衡，通过精密的晶圆制造工艺，实现了在极小的占板面积下提供高效的功率切换能力，特别适合空间受限的现代汽车电子与便携式设备应用。

该器件的一个显著特性是其低导通电阻与低栅极电荷的出色组合。N沟道MOSFET在4.5V Vgs下，导通电阻（RDS(on)）典型值仅为450毫欧，而P沟道MOSFET为1.1欧姆，这有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）极低，N沟道最大值为1.64nC，P沟道为1.1nC，这直接转化为快速的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升系统整体效率并简化栅极驱动电路的设计。其漏源电压（Vdss）为25V，能够可靠地工作在12V汽车总线及类似的低压电源环境中。

在电气参数方面，DMC3730UVT-13展现了宽泛的工作温度范围，结温（Tj）支持-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定性和长寿命。其输入电容（Ciss）较小，有助于减少开关过程中的米勒效应，进一步提升开关性能。最大功耗为700mW，配合TSOT-26封装优良的热性能，能够有效管理热耗散。对于需要可靠供应链和稳定货源的客户，通过DIODES一级代理进行采购是确保正品和获得全面技术支持的重要途径。

凭借其互补对结构、小尺寸和高可靠性，这款MOSFET阵列非常适合用于需要高效功率路径管理的场景。典型应用包括汽车领域的负载开关、电机驱动预驱动器、电源极性保护与电平转换电路。在消费电子和工业控制中，它也常用于电池供电设备的电源分配、信号切换和低侧/高侧开关配置，为设计工程师提供了高度集成且性能可靠的解决方案。

• 型号:DMC3730UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 25V 0.68A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:25V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):680mA（Ta），460mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.64nC @ 4.5V，1.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 10V，63pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 现在可以订购DMC3730UVT-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。