DMTH10H015LK3-13

作为一款符合AEC-Q101标准的汽车级功率MOSFET，DMTH10H015LK3-13采用了先进的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管技术。其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件采用TO-252-4L（DPAK）封装，这种四引线表面贴装封装不仅提供了良好的散热性能，还通过独立的开尔文源极引脚有效降低了栅极驱动回路中的寄生电感，这对于提升高频开关性能至关重要。

在电气性能方面，该MOSFET的突出特点是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为15毫欧。这一特性直接转化为更低的正向导通损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在33.3nC（@10V），结合适中的输入电容，意味着它需要更小的驱动电流即可实现快速开关，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。

该器件具备100V的漏源击穿电压（Vdss）和高达52.5A的连续漏极电流承载能力，使其能够稳健地应对各种负载条件。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，完全满足汽车电子等严苛环境对温度稳定性的要求。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。其2.1W的额定功耗与优化的封装热阻相结合，确保了在持续高功率运行下的可靠性。

基于其高耐压、大电流和低损耗的特性，DMTH10H015LK3-13非常适用于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动以及DC-DC转换器中的同步整流或主开关。在工业电源、电动工具和电池管理系统（BMS）中，它也能作为核心开关元件，提供高效、可靠的功率路径管理解决方案。

• 型号:DMTH10H015LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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