DMC6070LND-7

DMC6070LND-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进工艺制造的N沟道与P沟道MOSFET对管，集成于紧凑的8-PowerVDFN封装中。该器件采用优化的功率半导体架构，旨在实现高效率的功率转换与控制。其核心设计平衡了导通损耗与开关性能，通过精心的芯片布局和封装技术，确保了在高压、大电流工作条件下的稳定性和可靠性，为空间受限的现代电子设备提供了高效的功率开关解决方案。

该芯片集成了一个N沟道和一个P沟道MOSFET，构成了一个互补的功率开关对。其N沟道MOSFET在10V栅极驱动电压、1.5A电流条件下，导通电阻典型值低至85毫欧，而P沟道器件也具备相匹配的低导通特性，这直接降低了传导损耗，提升了系统整体能效。同时，最大栅极电荷(Qg)仅为11.5nC，输入电容(Ciss)最大值为731pF，这些关键参数共同决定了其出色的开关速度，能够有效减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。

在电气参数方面，器件具备高达60V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了宽裕的设计余量。其连续漏极电流(Id)在25°C下分别可达3.1A（N沟道）和2.4A（P沟道），结合1.4W的最大功耗能力，能够处理可观的功率等级。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，确保了与常见逻辑电平的良好兼容性。该器件采用表面贴装形式，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足工业级应用的严苛环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

凭借其集成化、高效率和小尺寸的特点，DMC6070LND-7非常适合于需要紧凑型半桥或同步整流拓扑的场合。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动电路、负载开关以及电池管理系统中的功率路径管理。它在空间受限的便携式设备、通信模块、工业控制板卡以及汽车电子辅助系统中都能发挥关键作用，是实现高功率密度设计的优选元器件。

• 型号:DMC6070LND-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A，2.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:731pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
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