DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，集成于紧凑的8引脚SO封装内。该器件设计用于在低至4.5V的栅极驱动电压下实现高效开关，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和10A漏极电流条件下，Rds(ON)典型值仅为23毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。

其电气特性表现出色，最大连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下可达10A，漏源击穿电压(Vdss)为30V，适用于中低压功率转换和开关应用。器件具备快速的开关性能，栅极总电荷(Qg)在10V Vgs下最大值仅为17nC，配合较低的输入电容(Ciss)，有助于减少开关过程中的驱动损耗并提升开关频率，从而允许使用更小的外围磁性元件。其栅源电压(Vgs)耐受范围宽达±20V，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。值得注意的是，该器件已进入停产状态，在进行新设计选型时需考虑替代方案或库存情况，如需获取相关支持，可联系DIODES中国代理。

在接口与热管理方面，该MOSFET采用表面贴装型(8-SO)封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其最大功耗在环境温度下为1.42W，结合其封装的热阻特性，在实际应用中需进行合理的散热设计以确保结温(TJ)不超过-55°C至150°C的额定工作范围。其阈值电压(Vgs(th))最大值为2.4V，确保了与标准逻辑电平或微控制器GPIO口的良好兼容性，简化了驱动电路设计。

基于其低导通电阻、快速开关能力以及30V/10A的额定规格，DMG4466SSSL-13非常适合应用于对效率和空间有较高要求的领域。典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、负载开关以及电池管理系统(BMS)中的充放电控制。在这些应用中，其优异的性能有助于提升终端产品的能效等级和功率密度。

• 型号:DMG4466SSSL-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:478.9 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.42W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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