DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3 是 Diodes Incorporated 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用成熟的平面硅工艺制造，封装于 TO-251（也称为 IPAK）通孔封装中。该器件设计用于在高压开关应用中提供可靠的性能，其核心架构基于垂直导电结构，旨在优化高电压下的导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而实现高效的功率转换与控制。

该 MOSFET 具备700V 的高漏源击穿电压 (Vdss)，这使其能够从容应对工业电源、离线式开关电源 (SMPS) 以及照明系统中常见的电压应力和浪涌。在 25°C 壳温 (Tc) 条件下，其连续漏极电流 (Id) 额定值为5A，结合1.5Ω（典型值，在 1A, 10Vgs 条件下）的低导通电阻 (Rds(on))，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。其栅极驱动特性经过优化，最大栅源阈值电压 (Vgs(th)) 为 4V，标准驱动电压为 10V，确保了与常见控制器良好的兼容性和稳定的开关行为。

在动态性能方面，DMJ70H1D5SV3 展现出较低的总栅极电荷 (Qg，最大值 9.8nC @ 10V) 和输入电容 (Ciss，最大值 316pF @ 50V)，这有助于减少开关过程中的交越损耗和驱动电路负担，从而实现更高的开关频率和更快的瞬态响应。器件支持±30V 的栅源电压范围，提供了充足的驱动裕量。其最大功耗能力为 78W (Tc)，宽泛的结温工作范围覆盖-55°C 至 150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品的库存与技术资料。

凭借其高压、中电流的处理能力以及 TO-251 封装带来的良好散热性和通孔安装的机械强度，该器件非常适合应用于需要高可靠性和成本效益的领域。典型应用场景包括功率因数校正 (PFC) 电路、反激式/正激式开关电源的初级侧开关、电子镇流器、电机驱动辅助电源以及工业控制设备中的功率开关部分。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计的维护、备件供应或对特定批次有要求的项目中，它仍然是一个经过市场验证的关键组件选择。

• 型号:DMJ70H1D5SV3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251（型 TH3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:316 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:78W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（型 TH3）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
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