DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进X3-DSN3518-6封装的双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的增强型N沟道MOSFET，采用紧凑的表面贴装型6-SMD无引线封装，专为高密度PCB设计而优化，能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，最大功耗为2.67W。

其核心架构基于成熟的平面MOSFET技术，两个N沟道MOSFET在单一芯片上实现电气隔离，提供了高度的集成度和设计灵活性。该器件的一个关键特性是其极低的栅极阈值电压，最大值仅为1.3V @ 1mA，这使得它能够与低电压逻辑电平（如1.8V、3.3V）直接兼容，无需额外的电平转换电路，极大地简化了系统设计。同时，在4.5V Vgs条件下，其最大栅极电荷（Qg）被控制在56.5nC，有助于降低开关损耗，提升高频开关应用的效率。

在接口与电气参数方面，器件在6V Vds下的最大输入电容（Ciss）为3315pF，这一参数与栅极电荷共同决定了开关速度与驱动要求。其紧凑的封装形式不仅节省了宝贵的电路板空间，也优化了热性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理获取原厂正品和技术支持，确保项目顺利进行。

该MOSFET阵列非常适合应用于空间受限且对功耗敏感的场景。其主要应用领域包括便携式电子设备的电源管理模块、负载开关、电池保护电路，以及需要多路低侧开关的消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其低Vgs(th)特性使其成为由微控制器GPIO口直接驱动的理想选择，能够有效简化电路并降低整体BOM成本。

• 型号:DMN13M9UCA6-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X3-DSN3518-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3315pF @ 6V
• 功率 - 最大值:2.67W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-SMD，无引线
• 供应商器件封装:X3-DSN3518-6
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