DMN2004K-7

DMN2004K-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制。其栅极采用金属氧化物半导体结构，提供了优异的输入阻抗和快速的开关响应，同时其设计优化了沟道电阻与单元密度，在微型封装内实现了良好的电流处理能力与导通特性平衡。

该MOSFET的显著特性在于其极低的栅极阈值电压与驱动电压要求。其最大栅源阈值电压(Vgs(th))仅为1V @ 250A，而完全开启所需的栅源电压(Vgs)最低仅需1.8V，这使其能够与绝大多数低电压逻辑电路（如1.8V, 3.3V, 5V的MCU GPIO）直接兼容，无需额外的电平转换或驱动电路，极大地简化了系统设计。在4.5V Vgs驱动下，其导通电阻(Rds(on))最大值仅为550毫欧 @ 540mA，这意味着在中小电流应用中能有效降低导通损耗，提升整体能效。其输入电容(Ciss)最大值仅为150pF @ 16V，较低的栅极电荷有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。

在电气参数方面，DMN2004K-7的额定漏源电压(Vdss)为20V，连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下可达630mA，最大允许栅源电压(Vgs)为±8V。其功率耗散能力为350mW (Ta)，宽泛的工作结温范围覆盖-65°C至150°C，确保了器件在苛刻环境下的可靠性与稳定性。SOT-23-3封装形式使其非常适合高密度的PCB布局，为工程师提供了灵活的布局选项。对于需要稳定供货与技术支持的设计项目，可以通过官方授权的DIODES代理商获取完整的器件资料、样品及批量供应支持。

凭借其低压驱动、低导通电阻和小尺寸封装的特点，该器件非常适合应用于空间受限且对效率有要求的便携式电子设备与低功率系统中。典型应用场景包括电池供电设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的负载开关、电源管理单元(PMU)的功率路径控制、DC-DC转换器的同步整流或低侧开关、电机驱动模块（如微型风扇、振动马达）的H桥电路，以及各类需要高速开关的模拟开关或信号选通电路。其性能参数使其成为替换传统双极型晶体管或老一代MOSFET，以实现更高开关频率和更低静态功耗的理想选择。

• 型号:DMN2004K-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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