DMN2058U-13

作为一款由Diodes Incorporated推出的N沟道功率MOSFET，DMN2058U-13采用了先进的平面MOSFET技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制。该器件基于金属氧化物半导体场效应晶体管技术构建，其沟道设计优化了载流子迁移率，从而在紧凑的封装内实现了优异的电流处理能力与低导通损耗。其热设计考虑周全，结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

该MOSFET的功能特点突出体现在其卓越的开关性能与低损耗特性上。其导通电阻在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下，最大值仅为35毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。极低的栅极电荷（最大值7.7nC @ 10V）和输入电容（最大值281pF @ 10V）显著降低了开关过程中的驱动损耗，使得器件在高频开关应用中表现优异。此外，其阈值电压典型值较低，在250A漏极电流下最大为1.2V，这意味着它能够与低电压逻辑电平（如1.8V）良好兼容，简化了驱动电路设计。

在接口与关键参数方面，DMN2058U-13的漏源击穿电压额定值为20V，连续漏极电流在环境温度下可达4.6A，最大功耗为1.13W。它采用标准的SOT-23-3表面贴装封装，这种小型化封装节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度设计。其栅源电压最大可承受±12V，提供了足够的驱动余量和可靠性保障。对于需要可靠元器件供应的设计团队，可以通过DIODES中国代理获取完整的技术支持与供应链服务。

基于其综合性能，该器件非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。典型的应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及便携式设备中的电源管理单元。其能够高效处理数安培级别的电流，同时保持快速的开关响应，是提升现代电子设备能效和功率密度的关键组件之一。

• 型号:DMN2058U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:281 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.13W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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