DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能的平衡。其结构优化了电荷载流子的迁移路径，有效降低了传导损耗，同时通过精心设计的栅极和终端结构，确保了在高频开关应用中的稳定性和可靠性。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值仅为5.5毫欧（在20A条件下），这一特性使其在导通状态下的功率损耗显著降低。其栅极阈值电压典型值为2.5V，并支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的噪声容限和驱动兼容性。此外，42nC的低栅极电荷与2000pF的输入电容共同作用，大幅减少了开关过程中的充放电时间，提升了整体开关效率，特别适合需要快速切换的应用场景。

在电气参数方面，DIODES代理提供的这款器件额定漏源电压为30V，在25°C环境温度下连续漏极电流可达16A，若考虑芯片结温则高达45A，展现出强大的电流处理能力。其采用表面贴装型PowerDI3333-8封装，该封装具有优异的热性能，有助于将内部产生的热量高效散发，确保器件在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，最大功耗为900mW。

凭借其高性能指标，DMN3009SFG-13非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。其主要应用场景包括同步整流、DC-DC转换器中的负载开关、电机驱动控制以及各类电源管理模块。在服务器电源、通信设备、笔记本电脑适配器和便携式电子设备中，它都能作为关键功率开关元件，有效提升系统能效和可靠性。

• 型号:DMN3009SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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