DMN3065LW-13

DMN3065LW-13 是 Diodes Incorporated 推出的一款采用先进平面工艺制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用紧凑的 SOT-323 表面贴装封装，在硅片层面实现了优化的单元结构，旨在提供卓越的功率密度与开关性能平衡。其核心设计聚焦于降低导通电阻与栅极电荷，这对于提升效率、减少开关损耗至关重要，使其成为空间受限且对热管理有要求的应用的理想选择。

该 MOSFET 的突出特性在于其优异的导通性能与快速开关能力。在 10V 栅极驱动电压下，其导通电阻 (Rds(on)) 典型值低至 52 毫欧（@4A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其最大栅极电荷 (Qg) 仅为 11.7nC (@10V)，结合较低的输入电容 (Ciss)，意味着驱动电路所需能量更少，能够实现更快的开关速度，从而降低开关损耗，尤其适用于高频开关场景。其阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 1.5V，与标准逻辑电平兼容性好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。

在电气参数方面，DIODES代理提供的规格书显示，DMN3065LW-13 的连续漏极电流 (Id) 在环境温度 (Ta) 下可达 4A，漏源击穿电压 (Vdss) 为 30V，提供了充足的电压裕量。其栅源电压 (Vgs) 最大耐受值为 ±12V，增强了驱动电路的鲁棒性。器件的最大功耗为 770mW (Ta)，结合其低热阻封装，确保了良好的散热能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应严苛的工业环境要求。

基于上述特性，DMN3065LW-13 非常适合应用于对尺寸、效率和成本敏感的中低功率领域。典型应用包括 DC-DC 转换器中的同步整流或负载开关，便携式设备（如智能手机、平板电脑）中的电源管理模块，以及电机驱动、LED 照明驱动电路中的功率开关。其 SOT-323 封装非常适合高密度 PCB 布局，是工程师在追求小型化与高性能设计时的可靠选择。

• 型号:DMN3065LW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:465 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:770mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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