DMN53D0L-7

作为一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率器件，DMN53D0L-7的设计核心在于实现高效率与小尺寸的平衡。其内部架构基于成熟的平面硅工艺，通过优化的单元结构和沟道设计，在紧凑的SOT-23封装内实现了优异的电气性能。该器件能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，确保了其在严苛环境下的可靠性。

该MOSFET的显著特性包括高达50V的漏源击穿电压(Vdss)以及500mA的连续漏极电流(Id)承载能力。其栅极驱动要求较低，在10V的Vgs电压下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为1.6欧姆，这有助于降低导通损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.5V，且具备低至0.6nC的栅极电荷(Qg)和46pF的输入电容(Ciss)，这使得它能够被微控制器GPIO口轻松驱动，并实现快速的开关切换，非常适用于高频开关应用。

在接口与参数方面，DIODES一级代理可提供全面的技术支持与供应保障。器件采用标准的SOT-23三引脚表面贴装封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其栅源电压(Vgs)可承受±20V的最大值，提供了较强的抗栅极噪声能力。最大功率耗散为370mW，平衡了功率处理能力与封装的热限制。这些参数共同定义了一个适用于低压、小电流控制场景的稳健开关解决方案。

基于其性能特点，DMN53D0L-7非常适合用于空间受限的便携式电子设备、电池管理系统中的负载开关、DC-DC转换器的同步整流或功率路径管理，以及各类消费电子和工业控制模块中的信号切换与电机驱动。其低栅极电荷和低导通电阻的特性，使其在需要高效能和快速响应的低侧开关电路中表现出色。

• 型号:DMN53D0L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:46 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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