DMN67D7L-13

DMN67D7L-13 是一款由 Diodes Incorporated 设计制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的平面工艺技术制造。该器件采用紧凑的 SOT-23-3 表面贴装封装，其核心架构基于成熟的硅基 MOSFET 技术，旨在提供高效的开关性能和出色的可靠性。其设计优化了栅极氧化层和沟道结构，确保了在宽泛的工作电压和温度范围内稳定的电气特性。

该 MOSFET 具备多项关键性能指标。其漏源击穿电压 (Vdss) 高达 60V，使其能够适用于多种中压应用场景。在栅源驱动电压 (Vgs) 为 10V 时，其导通电阻 (Rds(on)) 典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压 (Vgs(th)) 设计适中，确保了与标准逻辑电平（如 3.3V 或 5V）微控制器的良好兼容性，简化了驱动电路设计。此外，其极低的栅极电荷 (Qg) 和输入电容 (Ciss) 显著减少了开关过程中的充放电时间，从而实现了快速的开关速度，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与参数方面，DMN67D7L-13 的连续漏极电流 (Id) 在环境温度 (Ta) 下额定为 210mA，最大功耗为 570mW。其栅源电压 (Vgs) 可承受高达 ±40V 的瞬态冲击，增强了器件的鲁棒性。工作结温范围覆盖 -55°C 至 150°C，使其能够适应苛刻的工业环境。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的 DIODES芯片代理 获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关能力以及出色的热性能，DMN67D7L-13 非常适合空间受限且要求高效率的应用。典型应用包括便携式设备中的电源管理功能，如负载开关、DC-DC 转换器中的同步整流或功率开关。它也常用于电池保护电路、电机驱动模块中的预驱动级，以及各种需要小型化、高效率开关解决方案的消费电子和工业控制领域。

• 型号:DMN67D7L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.821 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:570mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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