DMP1008UCA9-7

作为一款高性能的P沟道功率MOSFET，DMP1008UCA9-7采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗与高效的开关性能。该器件采用紧凑的X2-DSN1515-9封装，专为高密度表面贴装应用而优化，能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，确保了在严苛环境下的可靠性。

该芯片的显著特性在于其优异的电气参数。它具备8V的漏源击穿电压(Vdss)，并在25°C环境温度下支持高达16A的连续漏极电流(Id)。其导通电阻表现突出，在4.5V驱动电压(Vgs)和2A测试电流下，最大值仅为5.7毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值低至1.1V，配合最大9.5nC的栅极电荷(Qg)，意味着它能够被低压逻辑电平轻松驱动，并实现快速的开关切换，这对于提升开关电源和电机驱动的频率与响应速度至关重要。

在接口与参数方面，DMP1008UCA9-7的驱动电压范围覆盖2.5V至4.5V，最大栅源电压(Vgs)为-6V，提供了安全的驱动裕量。其输入电容(Ciss)在4V测试条件下最大值为952pF，较低的电容值有助于进一步减少开关过程中的动态损耗。器件在25°C下的最大功率耗散为1.2W，平衡了性能与热管理需求。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，通过正规的DIODES一级代理进行采购是保障产品正宗与供货稳定的关键。

基于其低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用方向包括但不限于：笔记本电脑、平板电脑等便携式设备中的负载开关与电源路径管理；服务器和通信设备的DC-DC同步整流及功率分配单元；以及无人机、机器人等产品中的电机驱动与电池保护电路。其表面贴装形式也完美契合了现代电子产品小型化、轻量化的发展趋势。

• 型号:DMP1008UCA9-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DSN1515-9
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 8V 16A X2-DSN1515-9
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:8 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:952 pF @ 4 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DSN1515-9
• 封装/外壳:9-SMD，无引线
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