ZVN2120ASTOA

ZVN2120ASTOA 是一款由 Diodes Incorporated 设计生产的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用成熟的平面型 MOS 工艺制造，其核心架构基于硅基半导体技术，通过精确控制栅极下方的氧化层厚度与沟道掺杂浓度，实现了对电子流的有效控制。其结构确保了在关断状态下具备高耐压能力，同时在导通时能提供低阻抗的电流路径，这种基础设计为后续的功能特性奠定了物理基础。

该 MOSFET 的显著特性在于其 200V 的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够耐受较高的开关瞬态电压，提升了系统在感性负载应用中的可靠性。其导通电阻（Rds(On)）在 10V 栅源驱动电压、250mA 漏极电流条件下典型值为 10 欧姆，这一参数对于小电流开关应用中的功耗控制至关重要。器件支持高达 ±20V 的栅源电压，提供了较宽的驱动安全裕度，而最大 3V 的栅极阈值电压（Vgs(th)）则表明它能够与常见的 5V 或 3.3V 逻辑电平较好地兼容，简化了驱动电路的设计。

在电气接口与参数方面，ZVN2120ASTOA 在 25°C 环境温度下的连续漏极电流（Id）额定值为 180mA，最大功耗为 700mW。其输入电容（Ciss）在 25V 漏源电压下最大值为 85pF，较低的栅极电荷需求有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。器件采用经典的 E-Line（TO-92 兼容）通孔封装，这种封装形式便于在原型验证或小批量生产中手工焊接与更换，工作结温范围覆盖 -55°C 至 150°C，适应宽温工作环境。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的 DIODES授权代理 进行采购咨询。

基于其电压与电流规格，该器件非常适合应用于对空间和成本敏感的中低压、小功率开关场景。典型应用包括低功率离线式开关电源的启动电路、继电器或小型电磁阀的驱动、LED 照明系统的辅助电源切换，以及各类消费电子和工业控制板卡中的信号隔离与电平转换电路。其 TO-92 兼容封装使其成为传统设计升级或替换的便捷选择。

• 制造商产品型号：ZVN2120ASTOA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：180mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：85pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
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