DMP1055USW-7

DMP1055USW-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率开关器件。该器件采用紧凑的SOT-363封装，实现了在极小占板面积下的高效功率处理能力。其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在提供极低的导通电阻（R_DS(on)）与快速的开关特性，这对于提升系统效率、降低功耗和减少热量产生至关重要。

该MOSFET的漏源击穿电压（V_DSS）为12V，并在环境温度（T_a）下支持高达3.8A的连续漏极电流。其关键优势在于极低的导通损耗，在4.5V栅源驱动电压（V_GS）和3A漏极电流条件下，导通电阻典型值低至48毫欧。同时，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为1V，且栅极总电荷（Q_g）在4.5V V_GS时仅为13nC，这使得它能够被低电压逻辑电平（如1.8V、3.3V或5V）的微控制器或电源管理芯片轻松、高效地驱动，显著简化了驱动电路设计并提升了开关速度。

在电气接口与可靠性方面，该器件栅源电压可承受±8V的最大值，提供了良好的栅极保护余量。其输入电容（C_iss）在6V V_DS条件下最大为1028pF，结合低栅极电荷，共同确保了快速的导通与关断瞬态响应。器件的最大功耗为660mW，并拥有宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C），保证了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的批量项目，通过DIODES一级代理可以获得稳定的供货与原厂技术支持。

凭借其小尺寸、低导通电阻和优异的开关性能，DMP1055USW-7非常适合于空间受限且对效率要求高的应用场景。它常被用于便携式设备、电池供电系统中的负载开关、电源路径管理，以及DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。在电机驱动、LED背光控制等需要P沟道MOSFET进行功率切换或极性控制的电路中，它也是一个理想的选择。

• 型号:DMP1055USW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1028 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-363
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 现在可以订购DMP1055USW-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。