DMP2035UFCL-7

DMP2035UFCL-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN1616-6封装，专为高密度、高效率的电源管理和负载开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，实现了在极低栅极驱动电压下的优异导通性能，这对于由低压逻辑信号直接驱动的应用至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)）与出色的栅极电荷（Qg）性能。在4.5V的Vgs驱动下，其Rds(on)最大值仅为24毫欧（@8A），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，最大44nC（@8V）的栅极电荷确保了快速的开关切换速度，减少了开关损耗，特别适合高频开关应用。其驱动电压范围宽泛，最低1.8V即可有效开启，完美兼容现代微控制器和低压ASIC的输出电平，简化了驱动电路设计。

在电气参数方面，器件额定漏源电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）高达6.6A，能够满足多数中低功率场景的电流需求。其输入电容（Ciss）和栅源阈值电压（Vgs(th)）均经过精心优化，在保证快速响应的同时，也提供了良好的抗干扰能力。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理进行采购与咨询。

基于上述特性，DMP2035UFCL-7非常适合应用于空间受限的便携式设备、计算主板以及各类消费电子产品中。其典型应用场景包括但不限于：电池供电设备的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关、电机驱动中的H桥电路，以及需要高效功率路径管理的各种子系统。其表面贴装型封装和优异的散热性能，使其成为追求高功率密度和可靠性的现代电子设计的理想选择。

• 型号:DMP2035UFCL-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Software Configurable Input/Output
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:740mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Software Configurable Input/Output
• 封装/外壳:6-PowerUFDFN
• 现在可以订购DMP2035UFCL-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。