DMP2035UFDF-13

作为一款采用先进沟槽技术制造的P沟道功率MOSFET，DMP2035UFDF-13的核心架构旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能。其设计优化了单元密度与电荷平衡，确保了在紧凑的封装内提供高电流处理能力，同时将栅极电荷和输入电容控制在较低水平，这对于提升整体系统效率、降低开关损耗至关重要。

该器件在功能上表现出色，其最大漏源电压（Vdss）为20V，在25°C环境温度下可连续通过高达8.1A的漏极电流。其导通电阻（Rds(on)）特性尤为突出，在驱动电压（Vgs）为4.5V、漏极电流（Id）为6.4A的条件下，最大值仅为29毫欧。这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗，使其在电源管理应用中能有效减少热量产生，提升能效。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，且栅极电荷（Qg）在4.5V驱动下最大值仅为20.5nC，这意味着器件能够被快速驱动，实现高效的开关动作，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，该MOSFET采用表面贴装形式的U-DFN2020-6（F类）封装，尺寸紧凑，有利于高密度PCB布局。其驱动电压范围宽泛，最大栅源电压（Vgs）为±8V，为设计提供了灵活性。器件的热性能稳定，最大功率耗散为2.03W（Ta），结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过可靠的DIODES芯片代理获取此型号及其技术支持。

基于其优异的电气特性与封装优势，DMP2035UFDF-13非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。其主要应用领域包括但不限于：笔记本电脑、平板电脑等便携式设备的负载开关与电源路径管理；DC-DC转换器中的同步整流或高端开关；电池保护电路；以及各类消费电子和工业控制模块中的功率分配与开关功能。其快速开关能力和低导通电阻使其成为提升系统整体能效的理想选择。

• 型号:DMP2035UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 6.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1808 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.03W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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