DMP2040UVT-7

DMP2040UVT-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的TSOT-26封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能，其核心设计旨在提供极低的导通电阻与出色的开关特性，以满足现代高密度、高效率电源管理应用的需求。

该MOSFET在25°C环境温度下可提供高达5.5A的连续漏极电流，而在管壳温度条件下，其连续漏极电流能力更可达到13A，这使其能够处理可观的负载功率。其20V的漏源击穿电压使其非常适合用于5V、12V等低压总线系统的负载开关、电源路径管理和电池反接保护等电路。得益于优化的芯片设计与封装工艺，器件在导通时产生的损耗被降至最低，有助于提升系统整体能效并减少热管理需求。

在接口与关键参数方面，DMP2040UVT-7作为P沟道器件，其栅极驱动逻辑与常见的N沟道MOSFET相反，这简化了在高端开关应用中的驱动电路设计，无需额外的电荷泵或电平移位电路。其稳健的ESD保护能力和宽泛的工作温度范围确保了在各种环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的技术资料、样品以及批量供货支持。

该器件的典型应用场景广泛覆盖了便携式电子设备、网络通信设备、计算机周边以及消费类电子产品。它常被用于系统电源的智能分配、USB端口的供电控制、电池供电设备的负载开关，以及需要防止因电源反接而造成损坏的保护电路中。其小尺寸和高性能的结合，使其成为空间受限且对效率有严苛要求的现代电子设计的理想选择。

• 型号:DMP2040UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Ta），13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:NHD-1.5-128128G，SSD1357
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:834 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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