DMP2104LP-7

DMP2104LP-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的3-DFN1411（1.4mm x 1.1mm）表面贴装封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能，其设计旨在满足现代便携式和空间受限型电子设备对高效率与高功率密度的双重需求。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻（R_DS(on)），在V_GS = -4.5V、I_D = -950mA的测试条件下，其典型值仅为150毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为-1V，且能在低至-1.8V的驱动电压下实现完全导通，这使得它能够完美兼容低电压逻辑电路（如1.8V、3.3V微控制器GPIO），无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计并降低了BOM成本。

在接口与参数方面，DMP2104LP-7的漏源击穿电压（V_DSS）为-20V，连续漏极电流（I_D）额定值为-1.5A，能够满足多数低压电源管理和负载开关应用的需求。其输入电容（C_iss）典型值较低，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理渠道进行采购。

基于上述特性，该器件非常适合应用于电池供电设备、便携式消费电子产品以及物联网（IoT）模块中的负载开关、电源路径管理和电池反接保护电路。其小尺寸和低功耗特性也使其成为手机、平板电脑、可穿戴设备内部进行功率分配与控制的理想选择，在提升终端产品续航能力与可靠性的同时，助力实现更轻薄的设计。

• 型号:DMP2104LP-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DFN1411-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DFN1411-3
• 封装/外壳:3-UDFN
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