DMP21D0UFB4-7B

DMP21D0UFB4-7B是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率开关器件。该器件采用紧凑的X2-DFN1006-3封装，专为高密度表面贴装应用而设计，其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，从而在有限的物理空间内提供高效的功率控制能力。

该MOSFET的显著特性体现在其优异的电气参数上。它具备20V的漏源击穿电压（Vdss）和770mA的连续漏极电流（Id）能力，为低电压电路提供了可靠的开关基础。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs为4.5V、Id为400mA的条件下，最大值仅为495毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，器件支持低至1.8V的驱动电压，使其能够无缝兼容现代微处理器和低电压逻辑电路，简化了驱动电路设计。

在动态性能方面，最大栅极电荷（Qg）仅为1.54nC，结合80pF的最大输入电容（Ciss），确保了极快的开关速度和低开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±8V，提供了稳定的驱动安全裕度。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并能在环境温度下耗散高达430mW的功率，展现了良好的热稳定性和可靠性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取此型号及相关技术支持。

综合其参数，DMP21D0UFB4-7B非常适合用于空间受限且对效率有要求的场景。其主要应用方向包括便携式电子设备的负载开关、电源管理单元（PMU）中的功率路径控制、电池供电系统的充电与放电电路保护，以及各类需要高频P沟道开关的DC-DC转换器模块。其小尺寸、低功耗和高性能的组合，使其成为现代紧凑型电子设计中理想的功率管理解决方案。

• 型号:DMP21D0UFB4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):770mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:495 毫欧 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.54 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:80 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:430mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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