ZVNL110A

ZVNL110A是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用经典的平面硅栅MOS工艺制造。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，在紧凑的封装内实现了对电压和电流的高效控制。该器件通过优化沟道和栅极结构，确保了在宽泛的工作条件下具有稳定的电气特性，其设计重点在于平衡导通电阻、开关速度与成本，以满足通用型开关和放大应用的需求。

该MOSFET具备多项关键电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达100V，使其能够安全地工作在多种中压电源和负载切换场景中。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为320mA，足以驱动继电器、小型电机、LED灯串等常见负载。其栅极驱动特性尤为突出，栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.5V @ 1mA，这意味着它能够与低电压逻辑电路（如3.3V或5V的MCU GPIO）直接兼容，简化了驱动电路设计，无需额外的电平转换或复杂的驱动芯片。

在导通性能方面，在10V栅源电压(Vgs)和500mA漏极电流(Id)条件下，其导通电阻(Rds(on))最大值仅为3欧姆。较低的导通电阻直接转化为更低的导通损耗和发热，提升了系统的整体效率。同时，其输入电容(Ciss)在25V漏源电压下最大值为75pF，较小的栅极电荷需求使其具备较快的开关速度，有利于在高频PWM调光、开关电源等应用中减少开关损耗。器件采用坚固的TO-92-3通孔封装，便于在实验板或PCB上进行手工或波峰焊安装，其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻工业环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过DIODES一级代理进行采购是保障供应链顺畅的可靠途径。

凭借其参数组合，ZVNL110A非常适合多种低功率控制与开关应用。它常被用于消费电子产品的电源管理模块，作为负载开关或电源路径选择开关。在工业控制领域，可用于PLC输出模块驱动小型电磁阀或指示灯。此外，在电池供电设备、适配器待机电路、DC-DC转换器的次级侧同步整流（需谨慎评估频率与损耗），以及电子保险丝等电路中，都能见到其身影。其高输入阻抗和电压控制特性，也使其可用于小信号放大或模拟开关电路，为设计工程师提供了一个高性价比且灵活的基础元器件选择。

• 型号:ZVNL110A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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