DMP2541UCB9-7

Diodes Incorporated推出的DMP2541UCB9-7是一款采用先进U-WLB1515-9封装（超薄晶圆级球栅阵列）的P沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心设计旨在实现高效率的功率开关与控制。其紧凑的封装形式不仅优化了PCB空间利用率，还通过改进的热性能设计，确保了在-55°C至155°C的宽结温范围内稳定工作，最大功率耗散可达940mW。

该MOSFET的关键电气性能表现突出。它具备25V的漏源击穿电压（Vdss）和3.9A的连续漏极电流能力，为低压大电流应用提供了可靠的开关基础。其导通电阻（Rds(On)）在4.5V栅源驱动电压、2A漏极电流条件下，最大值仅为40毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，器件拥有优异的栅极驱动特性，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.1V，且栅极总电荷（Qg）在4.5V条件下最大仅为7nC，配合850pF的最大输入电容（Ciss），使得开关速度更快，开关损耗显著降低，尤其适合高频开关应用。

在接口与参数方面，DMP2541UCB9-7专为低电压栅极驱动而优化，其推荐的驱动电压范围在1.8V至4.5V之间，能够完美兼容现代微控制器和逻辑电路的GPIO电压水平，简化了驱动电路设计。其最大栅源电压（Vgs）为-6V，为设计提供了安全的裕量。该器件采用表面贴装形式，U-WLB1515-9封装确保了良好的机械强度和散热路径。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取产品与技术支援。

凭借其低导通电阻、快速开关能力和紧凑的封装尺寸，DMP2541UCB9-7非常适合空间受限且对效率要求苛刻的应用场景。其主要应用领域包括便携式设备的负载开关、电源管理单元（PMU）中的功率路径控制、电池保护电路、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及各类需要高效功率切换的消费电子和工业控制模块。

• 型号:DMP2541UCB9-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1515-9
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 25V 3.9A U-WLB1515-9
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1515-9
• 封装/外壳:9-UFBGA，WLBGA
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