DMP32D9UFZ-7B

DMP32D9UFZ-7B是一款由Diodes Incorporated推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件采用紧凑的X2-DFN0606-3表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效功率切换和信号控制而设计。其核心架构基于稳健的P沟道工艺，能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，确保了在严苛环境下的高可靠性。

该器件具备多项关键电气特性，使其在低电压、小电流应用中表现优异。其最大漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在环境温度下可达200mA，为负载开关和电源管理路径提供了充足的余量。其导通特性尤为突出，在Vgs为4.5V、Id为100mA的条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为5欧姆，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗和压降，提升整体系统效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值低至1V，极低的栅极电荷（Qg）最大值仅为0.35nC，以及较小的输入电容（Ciss），共同确保了快速、高效的开关性能，并降低了对驱动电路的要求，使其易于由微控制器或逻辑电平信号直接驱动。

在接口与参数方面，DMP32D9UFZ-7B的栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±10V的栅源电压，增强了其抗干扰能力。其最大功耗为390mW，平衡了功率处理能力与封装热性能。这些参数共同定义了一个高效、可靠的开关解决方案。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

基于其小尺寸、低导通电阻和优异的开关特性，DMP32D9UFZ-7B非常适合于空间受限的便携式电子设备和电池供电系统。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关、电源隔离和信号切换功能。它也适用于需要高效功率管理的模块，如物联网传感器节点、便携式医疗设备以及各类消费电子产品的子系统电源控制，是实现系统小型化、延长电池寿命的理想选择。

• 型号:DMP32D9UFZ-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0606-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22.5 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0606-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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