DMP58D0LFB-7

作为一款采用先进MOSFET技术制造的P沟道功率器件，DMP58D0LFB-7的核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计。该器件采用紧凑的3-X1DFN1006封装，实现了高密度表面贴装，其结构优化旨在提供稳定的电气性能和出色的热管理能力。其沟道设计经过特别优化，在保证低导通电阻的同时，有效控制了栅极电荷和输入电容，这对于高频开关应用中的开关损耗和驱动效率至关重要。

该芯片的功能特点突出体现在其电气参数上。其最大漏源电压(Vdss)为50V，连续漏极电流(Id)可达180mA，为低电压、小电流的功率控制应用提供了可靠的开关能力。其导通特性尤为出色，在驱动电压(Vgs)为5V、漏极电流(Id)为100mA的条件下，导通电阻(Rds(On))最大值仅为8欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.1V，与常见的逻辑电平兼容性好，便于由微控制器或数字逻辑电路直接驱动，简化了外围电路设计。

在接口与关键参数方面，该器件支持最大±20V的栅源电压(Vgs)，提供了较高的栅极驱动容限，增强了系统的鲁棒性。其输入电容(Ciss)在Vds为25V时最大值仅为27pF，较低的栅极电荷需求使得开关速度更快，并降低了对驱动电流的要求。器件在25°C环境温度下的最大功耗为470mW，结合其DFN封装优良的散热性能，确保了在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的DIODES代理获取原厂正品和技术支持。

基于其小尺寸、低导通电阻和良好的开关特性，DMP58D0LFB-7非常适合于空间受限的便携式电子设备、电池管理系统中的负载开关、电源路径管理以及信号切换等应用场景。它常见于需要高效功率分配的物联网(IoT)模块、可穿戴设备、移动电源以及各类消费电子产品的板级电源管理中，是实现电路模块高效通断控制的理想选择。

• 型号:DMP58D0LFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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