DMT10H015LPS-13

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMT10H015LPS-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心架构旨在实现高效率与低损耗的平衡。该器件基于优化的沟槽工艺设计，有效降低了单位面积的导通电阻，从而在紧凑的封装内实现了出色的电流处理能力。其N通道结构确保了在开关应用中快速的导通与关断特性，为电源转换和电机驱动等场景提供了可靠的半导体开关解决方案。

该器件的功能特点突出表现在其优异的电气参数上。高达100V的漏源电压（Vdss）额定值使其能够稳定工作在多种中压应用环境中。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、20A电流条件下最大值仅为16毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为33.3nC，结合3.5V（最大值）的低栅极阈值电压（Vgs(th)），意味着它能够被快速驱动，显著降低开关损耗，尤其适合高频开关应用。

在接口与参数方面，DIODES代理提供的这款器件提供了灵活的驱动条件，其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，且在4.5V时即可获得较低的导通电阻，兼容多种逻辑电平。其电流处理能力强大，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为7.3A，而在管壳温度（Tc）条件下可达44A，展现了卓越的热性能。器件采用表面贴装型的PowerDI5060-8封装，该封装具有优异的热导特性，最大功率耗散在Tc条件下可达46W，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了其在严苛环境下的可靠性与长寿命。

综合其技术特性，DMT10H015LPS-13非常适用于需要高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制电路、锂电池保护板以及各类电源管理模块。其低导通电阻和快速开关特性使其成为提升系统整体能效、减小方案尺寸的理想选择，尤其在对热管理和效率有严格要求的现代电子设备中具有重要价值。

• 型号:DMT10H015LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta），44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），46W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 现在可以订购DMT10H015LPS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。