DMT10H4M5LPS-13

DMT10H4M5LPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进POWERDI5060-8封装的高性能N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术进行优化，其核心设计旨在实现低导通电阻（Rds(on)）与高开关频率下的优异平衡，从而在紧凑的封装内提供卓越的功率处理能力和效率。其内部架构经过精心设计，优化了单元密度和沟道迁移率，有效降低了传导损耗和开关损耗，为高效率电源转换奠定了坚实基础。

该MOSFET的突出特性在于其61V至100V的宽范围漏源击穿电压（BVDSS），这使其能够从容应对工业、通信及汽车环境中常见的电压应力和瞬态冲击，具备出色的可靠性与鲁棒性。配合其低栅极电荷（Qg）特性，器件在高速开关应用中能够显著降低驱动损耗，提升系统整体效率，尤其适用于需要高频率操作的DC-DC转换器和电机驱动电路。其热性能也经过优化，POWERDI5060-8封装提供了有效的散热路径，有助于在持续高功率运行时维持较低的结温。

在接口与关键参数方面，DMT10H4M5LPS-13的规格使其成为中压、中功率应用的理想选择。其设计兼顾了电气性能与物理尺寸，表面贴装（SMT）的POWERDI5060-8封装不仅节省了宝贵的PCB空间，还简化了自动化生产流程。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，是确保获得正品器件、完整数据手册以及专业应用支持的重要途径。

基于其技术特性，DMT10H4M5LPS-13非常适合部署在多种要求高效率和高可靠性的场景中。典型应用包括工业自动化设备中的电机控制与驱动模块、通信基础设施的分布式电源总线（如48V中间总线架构）转换器、以及汽车电子中的辅助电源管理和负载开关。此外，在服务器电源、电动工具和LED照明驱动等对功率密度和能效有严格要求的领域，该器件也能发挥关键作用，帮助设计工程师实现更紧凑、更高效的电源解决方案。

• 型号:DMT10H4M5LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.3 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4843 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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