DMT3009LFVW-13

DMT3009LFVW-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，集成了可润湿侧翼设计，便于在制造过程中进行自动光学检测（AOI），从而提升焊接可靠性和生产良率。其核心设计旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的优化平衡，为高效率的功率开关应用提供了坚实的基础。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压（Vgs）下典型值仅为11毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热，显著提升了系统能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为12nC，结合较低的输入电容（Ciss），使得开关速度更快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关应用。器件支持高达±20V的栅源电压，增强了驱动电路的鲁棒性。

在电流处理能力方面，DIODES中国代理提供的技术资料显示，DMT3009LFVW-13在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）可达12A，而在管壳温度（Tc）条件下更能支持高达50A的电流，展现了出色的散热性能和功率密度。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性，同时具备较强的抗干扰能力。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的环境要求。

凭借其优异的性能组合，DMT3009LFVW-13非常适合应用于对空间和效率有严格要求的现代电子设备中。其主要应用场景包括但不限于：DC-DC同步整流转换器中的低压侧开关、电机驱动电路（如无人机、小型机器人）、负载开关以及电池保护电路。在这些应用中，其低Rds(on)和高开关速度有助于最大化电源转换效率，延长电池续航，而小型化的封装则有助于实现终端产品更轻薄的设计。

• 型号:DMT3009LFVW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 14.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:823 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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