DMTH10H010SCT

DMTH10H010SCT是Diodes Incorporated推出的一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。该器件采用成熟的平面MOSFET架构，其核心在于通过优化的单元设计和制造工艺，在TO-220AB封装内实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与高电流处理能力的平衡。其沟道结构经过特别设计，旨在最小化单位面积的导通损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值可低至9.5毫欧（在13A条件下测量），这一特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为56.4nC，较低的栅极电荷意味着开关过程中的驱动损耗更低，有助于实现更高频率的开关操作，并简化驱动电路的设计。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力，增强了系统在复杂电磁环境下的可靠性。

在电气参数方面，DMTH10H010SCT具备100V的漏源击穿电压（Vdss）和高达100A的连续漏极电流（Id）承载能力，使其能够应对大多数中高功率场景的电压和电流应力。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。采用标准的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，便于安装在散热器上以实现187W（Tc）的最大功率耗散。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取正品器件和技术支持。

凭借其优异的性能组合，该器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率管理领域。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）系统中的功率开关、以及各类工业电源和逆变器。其低导通电阻和高电流能力使其成为同步整流和开关拓扑中理想的主开关或同步整流管选择，能够有效提升系统功率密度和能效比。

• 型号:DMTH10H010SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4468 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），187W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
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