ZXMN3A02N8TA

作为一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的功率开关器件，ZXMN3A02N8TA的核心架构基于N沟道设计，其内部结构优化了载流子迁移路径，以实现低导通损耗和高开关效率。该器件采用表面贴装型8-SO封装，在紧凑的物理尺寸内集成了高性能的功率处理能力，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。

在电气性能方面，该器件展现出显著的优势。其最大漏源电压（Vdss）为30V，在25°C环境温度下可支持高达7.3A的连续漏极电流。一个关键特性是其极低的导通电阻，在10V栅源电压和12A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为25毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。其栅极驱动设计兼容性强，在4.5V至10V的栅源电压范围内即可实现优异的导通特性，而栅极阈值电压Vgs(th)最大值为1V，有助于实现与低电压逻辑电路的直接、简易接口。

该MOSFET的动态特性同样经过精心优化。在10V栅源电压下，其最大栅极总电荷（Qg）为26.8nC，结合最大输入电容（Ciss）为1400pF @ 25V，这些参数共同决定了快速的开关速度和较低的驱动功率需求，这对于高频开关应用至关重要。最大栅源电压耐受值为±20V，提供了充足的驱动安全裕度。其最大功率耗散为1.56W，平衡了性能与封装的散热能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

综合其技术参数，ZXMN3A02N8TA非常适用于需要高效率、小尺寸解决方案的领域。其30V的耐压和7.3A的电流能力，使其成为DC-DC转换器中同步整流的理想选择，特别是在分布式电源架构和负载点（POL）模块中。此外，它在电机驱动控制、电池保护电路、电源管理开关以及各类便携式设备的负载开关中也能发挥出色性能，帮助设计工程师在有限的板级空间内实现更高的功率密度和更优的热管理。

• 型号:ZXMN3A02N8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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