DMTH4004SCTB-13

DMTH4004SCTB-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用TO-263AB（DPAK）表面贴装封装，专为高功率密度和高效率应用而优化。其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺，通过精心的芯片布局和封装设计，在紧凑的封装内实现了极低的导通电阻和出色的热性能，确保了在高电流条件下稳定可靠地工作。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电流处理能力和极低的功率损耗。在25°C外壳温度下，其连续漏极电流高达100A，充分满足大电流负载的苛刻要求。其导通电阻在10V驱动电压、100A电流条件下最大值仅为3毫欧，这一极低的Rds(on)值直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷最大值仅为68.6nC，有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关速度。

在电气参数方面，该器件具备40V的漏源击穿电压，提供了足够的电压裕量，适用于常见的24V及以下总线系统。其栅源电压最大额定值为±20V，增强了驱动电路的鲁棒性。输入电容典型值在25V Vds下为4305pF，结合较低的栅极电荷，共同决定了其动态开关特性。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至175°C，结合TO-263AB封装良好的热传导路径（在25°C外壳温度下最大功耗可达136W），使其能够适应严苛的环境温度和高功率耗散场景。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取该产品的技术支持和供货服务。

凭借其高电流、低导通电阻和优异的封装热性能，DMTH4004SCTB-13非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的领域。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、工业电源、电机驱动控制以及电动工具中的功率管理模块。在这些场景中，它能够有效降低系统能耗，提升整体可靠性，是工程师设计高性能功率电路时的优选功率开关器件。

• 型号:DMTH4004SCTB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 100A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.7W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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