DMTH4014LPD-13

作为一款面向严苛应用环境的功率开关解决方案，DMTH4014LPD-13采用了先进的沟槽式MOSFET技术，集成了两个独立的N沟道MOSFET于单一紧凑封装内。其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能，通过优化的单元结构有效降低了导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g），这对于提升系统效率、减少热损耗至关重要。该器件基于符合AEC-Q101标准的车规级工艺制造，确保了在宽温度范围和高可靠性要求下的稳定表现。

在电气特性方面，该器件展现出卓越的性能平衡。其漏源击穿电压（BVDSS）高达40V，为12V或24V车载总线系统提供了充足的电压裕量。在10V驱动电压下，其最大导通电阻低至15毫欧（@20A），这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的电流处理能力。同时，最大栅极电荷仅为10.2nC（@10V），结合3V的典型阈值电压，使得器件能够被快速驱动，显著降低开关损耗，尤其适合高频开关应用。其封装热阻经过精心设计，在特定条件下可实现高达42.8W（T_c）的功率耗散能力。

该芯片采用表面贴装型8-PowerTDFN封装，这种封装形式不仅提供了优异的散热性能，通过裸露的焊盘将热量高效传导至PCB，还实现了极小的占板面积，满足现代电子设备高密度布局的需求。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，能够从容应对汽车电子、工业控制等环境中可能出现的极端温度条件。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取原厂技术支持与供货保障。

基于其双N沟道阵列结构、高可靠性以及优异的开关性能，DMTH4014LPD-13非常适合应用于需要高效率功率转换和管理的场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、电池保护电路以及DC-DC转换器中的同步整流或高边/低边开关。在工业自动化、通信电源模块中，它也能作为理想的功率开关选择，帮助系统设计师在紧凑的空间内实现高功率密度和高能效的设计目标。

• 型号:DMTH4014LPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.6A（Ta），43.6A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:733pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.41W（Ta），42.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
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