DMTH6002LPS-13

DMTH6002LPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用PowerDI5060-8封装，这是一种专为高功率密度应用而优化的表面贴装封装，在紧凑的占板面积内实现了卓越的热性能和电气性能。其核心设计旨在最大限度地降低导通损耗和开关损耗，通过优化的单元结构和先进的工艺技术，实现了极低的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) * Qg），这是衡量MOSFET开关效率的关键品质因数（FOM）。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达60V，为48V总线系统提供了充足的设计裕量。在25°C壳温（Tc）下，连续漏极电流（Id）额定值高达100A，展现了其强大的电流处理能力。尤为关键的是，其在10V驱动电压、50A测试条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值低至2毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性，同时最大栅极电荷（Qg）仅为130.8nC，有助于降低驱动电路的功耗并提升高频开关性能。

在接口与参数方面，该器件支持±20V的最大栅源电压，增强了栅极驱动的鲁棒性。其输入电容（Ciss）在30V Vds下为6555pF，结合低Qg特性，共同优化了开关速度。器件的最大功耗为167W，结合PowerDI5060-8封装出色的热阻特性，能够有效管理高功率应用中的热量。其工作结温范围宽广，为-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取详细的产品资料、样品以及本地化的设计支持服务。

基于其高性能参数，DMTH6002LPS-13非常适合应用于对效率和功率密度有苛刻要求的场景。它广泛用于服务器和电信设备的48V至负载点（PoL）同步整流DC-DC转换器中，作为主开关或同步整流管，能显著提升转换效率。此外，在工业电机驱动、电动工具、大电流负载开关以及新能源领域的储能系统（ESS）和电池管理系统（BMS）中，它也是实现高效电能控制和管理的理想选择。其表面贴装形式也完全适应现代自动化生产的需求。

• 型号:DMTH6002LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6555 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:167W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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