DMTH6004SPSQ-13

作为一款高性能的功率MOSFET，DMTH6004SPSQ-13采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能。该器件基于优化的沟槽栅工艺，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(On)），同时通过精心的布局设计，在紧凑的封装内实现了优异的散热路径，这对于维持高功率密度下的可靠运行至关重要。

在功能特性方面，该器件最突出的表现是其极低的导通电阻，在10V驱动电压和50A漏极电流条件下，其最大值仅为3.1毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在95.4nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于实现快速、干净的开关转换，从而降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其宽泛的栅源电压（Vgs）耐受范围（±20V）也提供了更强的设计鲁棒性。

该MOSFET提供了全面的电气参数保障。其漏源击穿电压（Vdss）为60V，适用于常见的48V及以下总线系统。电流处理能力出色，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）高达100A，而在环境温度（Ta）下为25A，这使其能够应对严苛的负载条件。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。器件采用表面贴装的PowerDI5060-8封装，这种封装具有极低的热阻，能够将高达167W（Tc）的功率耗散有效地传导至PCB，实现紧凑且高效的功率布局。如需获取详细的技术支持或采购信息，可以联系官方授权的DIODES代理。

凭借其高效率和高功率密度特性，DMTH6004SPSQ-13非常适合于对空间和能效有严格要求的应用场景。它广泛应用于服务器和通信设备的DC-DC电源模块、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类负载开关中。在这些场景中，它能够有效降低系统整体功耗和温升，提升功率转换级的性能与可靠性。

• 型号:DMTH6004SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.1 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），167W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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